先上一個開關(guān)MOS的DS波形
假設(shè)在一臺數(shù)字示波器上只看到這一點波型,知道變壓器電感量為1mH, 通過從示波器上測量和計算,得出下列數(shù)值(只講解方法就行了)
1)大約的交流輸入電壓值
2)次級反到初級的電壓
3)占空比
4)變壓器漏感
5)變壓器和MOS的總雜散電容
6)變壓器傳送的能量
明顯反激,而且是斷續(xù)模式
剛開始是漏感震蕩,后來是電感和mosfet的電容震蕩
前一個直流電壓是Vin+(Np/Ns)(Vo+VF(二極管導(dǎo)通壓降))
后一個就是Vin
后一個震蕩的周期可以算出Cds大小
高壓時MOS的Cds很小,振蕩的電容主體是變壓器雜散電容.
根據(jù)反射電壓,反射電壓持續(xù)時間,輸入電壓就可以計算導(dǎo)通時間,占空比也就出來了(伏特秒平衡),Vref*Tvref=Vin*Ton
4,5問如我上所說,只有一個大概的估算
參考大家的理解,談?wù)勎业目捶?
當(dāng)MOS管電壓上升到A點時,輸出整流管導(dǎo)通,初級勵磁電感箝位于V1. 此時,漏感和雜散電容諧振, 由于變壓器線圈存在直流和交流電阻,該振蕩位阻尼振蕩,消耗了漏感中的能量在B點時,勵磁電感中電流下降為零,次級整流管自然截止,勵磁電感上電壓下降為零. 勵磁電感和雜散電容諧振,MOS管的雜散電容Coss向勵磁電感放電,Vds電壓下降,可從波形中得到驗證. 計算:
1.2.:如圖所示,可以讀出反射電壓V1,和Vin(DC).則,交流輸入電壓約為Vin(DC)/sqrt(2),不帶PFC.
3.由伏秒平衡可得,Vin(dc)*Ton=V1*T1,可求得,Ton.那么,占空比D=Ton/(Ton+T1+T2).
4.5:近似求解,從圖中分別讀出漏感、勵磁電感同雜散電容諧振的頻率,根據(jù)f=1/(2*pi*sqrt(L*c)),由勵磁電感感量已知,為1mH,可求得雜散電容值.進(jìn)一步就可求得漏感的感量.、
6.從波形中可以看出,此時該反激電路工作于斷續(xù)模式,初級能量完全傳送到次級.
根據(jù)Vin*Ton=Lp*Ip,其中,Lp為1mH,就可求得初級峰值電流Ip,
那么,該變壓器在一個周期內(nèi)傳送的能量為:1/2*Lp*Ip^2.
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