GBJ810整流橋,GBJ810整流橋參數(shù),GBJ810規(guī)格書(shū)封裝PDF
GBJ810整流橋8A 1000V,GBJ810封裝為GBJ/4KBJ,GBJ810整流橋參數(shù),GBJ810規(guī)格書(shū)封裝
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GBJ810整流橋參數(shù)具體如下：
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM最大重復(fù)峰值反向電壓：1000V
Maximum DC blocking voltage VDC最大直流阻斷電壓：1000V
Maximum average forward rectified current IF(AV) 最大平均正向整流電流：8.0A
Maximum instantaneous forward voltage drop per diode IFM=8.0A VF 8.0A時(shí)最大瞬時(shí)正向,每個(gè)二極管的壓降：1.0V
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM VRM=VRRM 最大直流反向電流,每個(gè)二極管的額定直流阻斷電壓：5uA
Operating temperature range TJ 工作溫度范圍：-55 to +150°C
storage temperature range TSTG 儲(chǔ)存溫度范圍：-55 to +150°C
GBJ810整流橋堆封裝，4GBJ/4KBJ封裝尺寸：
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