<rt id="knkb0"><table id="knkb0"></table></rt>
<tfoot id="knkb0"><pre id="knkb0"></pre></tfoot>
<blockquote id="knkb0"></blockquote>

      <blockquote id="knkb0"></blockquote>
        1. 国产精品污一区二区三区,亚洲中文字幕国产精品,国产日产免费高清欧美一区,国产成人亚洲综合图区,91色老久久精品偷偷性色,国产又色又爽又黄的在线观看,国产91午夜福利精品,麻豆文化传媒精品一区观看

          您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

          深圳市烜芯微科技有限公司

          ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
          二極管、三極管、MOS管、橋堆

          全國服務(wù)熱線:18923864027

        2. 熱門關(guān)鍵詞:
        3. 橋堆
        4. 場效應(yīng)管
        5. 三極管
        6. 二極管
        7. 驅(qū)動器源極引腳的效果,雙脈沖測試比較介紹
          • 發(fā)布時(shí)間:2022-10-22 19:09:22
          • 來源:
          • 閱讀次數(shù):
          驅(qū)動器源極引腳的效果,雙脈沖測試比較介紹
          為了比較沒有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET和有驅(qū)動源極引腳的MOSFET的實(shí)際開關(guān)工作情況,我們按照右圖所示的電路圖進(jìn)行了雙脈沖測試,在測試中,使低邊(LS)的MOSFET執(zhí)行開關(guān)動作。
          驅(qū)動器源極引腳
          高邊(HS)MOSFET則通過RG_EXT連接?xùn)艠O引腳和源極引腳或驅(qū)動器源極引腳,并且僅用于體二極管的換流工作。在電路圖中,實(shí)線是連接到源極引腳的示意圖,虛線是連接到驅(qū)動器源極引腳的示意圖。
          我們來分別比較導(dǎo)通時(shí)和關(guān)斷時(shí)的漏-源電壓VDS和漏極電流ID的波形以及開關(guān)損耗。測試中使用的是最大額定值(VDSS的波形以及開關(guān)損耗。測試中使用的是最大額定值(RDS(on))為 40mΩ的SiC MOSFET。TO-247N封裝的產(chǎn)品(型號:SCT3040KL)沒有驅(qū)動器源極引腳,TO-247-4L(SCT3040KR)和TO-263-7L(SCT3040KW7)有驅(qū)動器源極引腳。這是在RG_EXT為10Ω、施加電壓VHVDC為800V、ID為50A左右的驅(qū)動條件下的波形。
          與沒有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品(淺藍(lán)色虛線)相比,有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品(紅色虛線)和TO-263-7L封裝產(chǎn)品(綠色虛線)導(dǎo)通時(shí)的ID上升速度更快。
          通過比較,可以看出TO-247N封裝產(chǎn)品(淺藍(lán)色線)的開關(guān)損耗為 2742μJ,而TO-247-4L封裝產(chǎn)品(紅色線)為1690μJ,開關(guān)損耗減少約38%;TO-263-7L封裝產(chǎn)品(綠線)為 2083μJ,開關(guān)損耗減少24%,減幅顯著。
          驅(qū)動器源極引腳
          通過導(dǎo)通波形可以確認(rèn),TO-247-4L的ID峰值達(dá)到了80A,比TO-247N大23A。這是因?yàn)椋M管在MOSFET的開關(guān)工作過程中對COSS的充放電能量是恒定的,但由于驅(qū)動器源極引腳可提高開關(guān)速度,所以充放電時(shí)間縮短,最終導(dǎo)致充電電流的峰值變大。雖然HS側(cè)MOSFET的誤啟動也會導(dǎo)致峰值電流增加,但這不是誤啟動造成的。
          TO-263-7L的ID峰值為60A,不如TO-247-4L的大。這是由于換流側(cè)MOSFET(HS)的封裝電感不同造成的,與后續(xù)會介紹的關(guān)斷浪涌的差異成因一樣。
          也就是說,由dID/dt產(chǎn)生的開關(guān)側(cè)(LS)和換流側(cè)MOSFET的總封裝電感引起的電動勢,會將開關(guān)側(cè)MOSFET的VDS壓低,并使開關(guān)側(cè)MOSFET的COSS中積蓄的能量被釋放,但TO-263-7L的放電電流很小,導(dǎo)通時(shí)的ID峰值也很小。
          此外,導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗EON也是由于相同的原因,TO-247-4L封裝產(chǎn)品的開關(guān)側(cè)MOSFET的VDS被壓低,最終使開關(guān)損耗EON降低。
          但是,如果TO-247-4L和TO-263-7L沒有采取誤啟動對策,發(fā)生誤啟動時(shí)導(dǎo)通電流的峰值可能會進(jìn)一步增加,因此建議務(wù)必采取誤啟動對策,比如在米勒鉗位電路或柵極-源極之間連接幾nF的電容。
          接下來是關(guān)斷時(shí)的波形。可以看出,TO-247N封裝產(chǎn)品(淺藍(lán)色實(shí)線)的開關(guān)損耗為2093μJ,TO-247-4L封裝產(chǎn)品(紅色實(shí)線)為1462μJ,開關(guān)損耗降低約30%,TO-263-7L封裝產(chǎn)品(綠色實(shí)線)為1488μJ,開關(guān)損耗降低約29%,即使降幅沒有導(dǎo)通時(shí)那么大,也已經(jīng)是很大的改善。
          驅(qū)動器源極引腳
          關(guān)斷時(shí)在VDS中觀測到的關(guān)斷浪涌的主要起因是主電路的總寄生電感。它是前面給出的雙脈沖測試電路中的布線電感LMAIN與開關(guān)側(cè)和換流側(cè)MOSFET的封裝電感(LDRAIN+LSOURCE)的合計(jì)值。
          因此,對于封裝電感幾乎相同的TO-247-4L(紅色實(shí)線)和TO-247N(淺藍(lán)色實(shí)線)而言,浪涌會隨著dID/dt速度的升高而增加。在該測試中,TO-247-4L為1009V,比TO-247N的890V大119V,因此可能需要采取緩沖電路等浪涌對策。
          同為帶有驅(qū)動器源極引腳的產(chǎn)品,TO-263-7L(綠色實(shí)線)的浪涌比TO-247-4L(紅色實(shí)線)小,是因?yàn)榉庋b結(jié)構(gòu)不同。TO-263-7L的漏極被分配到封裝背面的散熱片,并被直接焊接在PCB上。
          另外,由于源極引腳被分配給7個(gè)引腳中的5個(gè)引腳,因此封裝電感小于TO-247-4L。請注意,開關(guān)側(cè)的浪涌會隨著換流側(cè)(而非開關(guān)側(cè))封裝電感的減小而變小。
          〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
           
          聯(lián)系號碼:18923864027(同微信)
          QQ:709211280

          相關(guān)閱讀
          主站蜘蛛池模板: 免费在线3A级| 精品无码一区二区三区的天堂| 五月婷婷久久草| 国产成人无码精品一区不卡| 疯狂做受XXXX高潮国产| 亚洲无码天堂| 色爱宗合| 狼人视频国产在线视频www色| 国产精品天堂蜜av在线播放| 牛牛视频一区二区三区| 亚洲中文字幕手机在线第一页| 国产偷国产偷亚洲清高网站| 国产免费福利| 人人天天久久| 91尤物国产尤物福利在线| 99热精品毛片全部国产无缓冲| 粉嫩AV一区二区凹凸精品| 徐水县| 日本三码电影在线| 国内精品视频区在线2021| 亚洲成人小说图片| 亚洲精品乱码久久久久久麻豆不卡| 深夜av免费在线观看| 成人亚洲精品一区二区三区嫩花| 精品国产一卡| 国产成人精品久久综合| 最新亚洲人成网站在线影院| 91在线视频观看| 亚洲欧美日韩精品| 日韩2区| 精品国产成人国产在线视| 无码午夜| 鹤山市| 亚洲高清无码视频网站在线| 国产av国片精品一区二区| 亚洲专区久久| 亚洲精品色欲| 亚洲欧美日韩不卡一区二区三区| 亚洲一区二区三区在线观看精品中文| 伊人伊狠亚洲综合影院| www插插插无码视频网站|