MOSFET的柵極驅動損耗
功率開關MOSFET的柵極驅動相關的損耗，即下圖的高邊和低邊開關的“PGATE”所示部分。
柵極電荷損耗
柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電荷總量）引起的損耗。
當MOSFET開關時，電源IC的柵極驅動器向MOSFET的寄生電容充電（向柵極注入電荷）而產生這種損耗（參見下圖）。
這不僅是開關電源，也是將MOSFET用作功率開關的應用中共同面臨的探討事項。
損耗是MOSFET的Qg乘以驅動器電壓和開關頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術規(guī)格書。驅動器電壓或者實測，或者參考IC的技術規(guī)格書。
從該公式可以看出，只要Qg相同，則開關頻率越高損耗越大。
從提供MOSFET所需的VGS的角度看，驅動器電壓不會因電路或IC而有太大差異。MOSFET的選型和開關頻率因電路設計而異，因此，是非常重要的探討事項。
為了確保與其他部分之間的一致性，這里給出了開關的波形，但沒有表示柵極電荷損耗之處。
關鍵要點：
1.柵極電荷損耗是由MOSFET的Qg（柵極電荷總量）引起的損耗。
2.如果MOSFET的Qg相同，則損耗主要取決于開關頻率。
電話：18923864027（同微信）
QQ：709211280
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹